LED光通量
LED光通量和光強有關系嗎？
用積分球測其光通量，整個球內的亮度稱為光通量，光強則為某一角度范圍內的亮度稱為光強，所以光通量大光強也就大，但是光強大光通亮不一定大，光強的大小取決于設計角度的大小，在LED晶片亮度一定的情況下角度越小光束越集中光強也就越大，反之則越小。
LED光通量
光通量F是表征LED總光輸出的輻射能量，它標志器件的性能優(yōu)劣。F為LED向各個方向發(fā)光的能量之和，它與工作電流直接有關。隨著電流增加，LED光通量隨之增大?？梢姽釲ED的光通量單位為流明（lm）。
LED向外輻射的功率——光通量與芯片材料、封裝工藝水平及外加恒流源大小有關。目前單色LED的光通量最大約1 lm，白光LED的F≈1.5~1.8 lm（小芯片），對于1mm×1mm的功率級芯片制成白光LED，其F=18 lm。
一、發(fā)光亮度
亮度是LED發(fā)光性能又一重要參數(shù)，具有很強方向性。其正法線方向的亮度BO=IO/A，指定某方向上發(fā)光體表面亮度等于發(fā)光體表面上單位投射面積在單位立體角內所輻射的光通量，單位為cd/m2 或Nit。
若光源表面是理想漫反射面，亮度BO與方向無關為常數(shù)。晴朗的藍天和熒光燈的表面亮度約為7000Nit（尼特），從地面看太陽表面亮度約為 14×108Nit。
LED亮度與外加電流密度有關，一般的LED，JO（電流密度）增加BO(亮度)也近似增大。另外，亮度還與環(huán)境溫度有關，環(huán)境溫度升高，ηc（復合效率）下降，BO減小。當環(huán)境溫度不變，電流增大足以引起pn結結溫升高，溫升后，亮度呈飽和狀態(tài)。
二、壽命
老化：LED發(fā)光亮度隨著長時間工作而出現(xiàn)光強或光亮度衰減現(xiàn)象。器件老化程度與外加恒流源的大小有關，可描述為Bt=BO e-t/τ，Bt為t時間后的亮度，BO為初始亮度。
通常把亮度降到Bt=1/2BO所經(jīng)歷的時間t稱為二極管的壽命。測定t要花很長的時間，通常以推算求得壽命。測量方法：給LED通以一定恒流源，點燃 103 ~104 小時后，先后測得BO ，Bt=1000~10000，代入Bt=BO e-t/τ求出τ；再把Bt=1/2BO代入，可求出壽命t。
長期以來總認為LED壽命為106小時，這是指單個LED在IF=20mA下。隨著功率型LED開發(fā)應用，國外學者認為以LED的光衰減百分比數(shù)值作為壽命的依據(jù)。如LED的光衰減為原來35%，壽命＞6000h。
三 發(fā)光效率和視覺靈敏度
① LED效率有內部效率（pn結附近由電能轉化成光能的效率）與外部效率（輻射到外部的效率）。前者只是用來分析和評價芯片優(yōu)劣的特性。
LED光電最重要的特性是用輻射出光能量（發(fā)光量）與輸入電能之比，即發(fā)光效率。
② 視覺靈敏度是使用照明與光度學中一些參量。人的視覺靈敏度在λ = 555nm處有一個最大值680 lm/w。若視覺靈敏度記為Kλ，則發(fā)光能量P與可見光通量F之間關系為 P=∫Pλdλ ； F=∫KλPλdλ
③ 發(fā)光效率——量子效率η=發(fā)射的光子數(shù)/pn結載流子數(shù)=（e/hcI）∫λPλdλ
若輸入能量為W=UI，則發(fā)光能量效率ηP=P/W
若光子能量hc=ev,則η≈ηP ，則總光通F=（F/P）P=KηPW 式中K= F/P
④ 流明效率：LED的光通量F/外加耗電功率W=KηP
它是評價具有外封裝LED特性，LED的流明效率高指在同樣外加電流下輻射可見光的能量較大，故也叫可見光發(fā)光效率。
以下列出幾種常見LED流明效率（可見光發(fā)光效率）：
LED發(fā)光顏色 λp（nm） 材料可見光發(fā)光效率（lm/w） 外量子效率
最高值 平均值
紅光 700660650 GaP:Zn-OGaAlAsGaAsP 2.40.270.38 120.50.5 1~30.30.2
黃光 590 GaP:N-N 0.45 0.1
綠光 555 GaP:N 4.2 0.7 0.015~0.15
藍光 465 GaN 10
白光 譜帶 GaN+YAG 小芯片1.6，大芯片18
品質優(yōu)良的LED要求向外輻射的光能量大，向外發(fā)出的光盡可能多，即外部效率要高。事實上，LED向外發(fā)光僅是內部發(fā)光的一部分，總的發(fā)光效率應為
η=ηiηcηe ，式中ηi向為p、n結區(qū)少子注入效率，ηc為在勢壘區(qū)少子與多子復合效率，ηe為外部出光（光取出效率）效率。
由于LED材料折射率很高ηi≈3.6。當芯片發(fā)出光在晶體材料與空氣界面時（無環(huán)氧封裝）若垂直入射，被空氣反射，反射率為（n1-1）2/（n1+1）2=0.32，反射出的占32%，鑒于晶體本身對光有相當一部分的吸收，于是大大降低了外部出光效率。
為了進一步提高外部出光效率ηe可采取以下措施：① 用折射率較高的透明材料（環(huán)氧樹脂n=1.55并不理想）覆蓋在芯片表面；② 把芯片晶體表面加工成半球形； ③ 用Eg大的化合物半導體作襯底以減少晶體內光吸收。有人曾經(jīng)用n=2.4~2.6的低熔點玻璃[成分As-S(Se)-Br(I)]且熱塑性大的作封帽，可使紅外GaAs、GaAsP、GaAlAs的LED效率提高4~6倍。
